集成电路的微型化在20年左右时间内有可能停止，因为到那时当前的技术将不能再进一步缩小。要在这个基础上再进一步微型化，通过DRAM（即动态随机存取存储器，一个来自分子电子学的概念）、纳米线的使用和缺陷容忍架构也许还有可能实现。将这些功能结合在一起的小型容错记忆电路已经得到了演示，但随着一个160,000位的分子电子记忆装置（大致类似于预期中的一种“2020年”DRAM电路）的开发，这一方法又被提升到了另一个层次。该电路仍然有大量不工作的记忆位，但它们可以被轻易识别和分离出来，然后工作的记忆位就可以被配置成一个功能完善的随机存取存储器。
